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中国台湾松木MOS管 ME35N06T数据手册规格书ME35N06T中文资料pdf

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产品型号ME35N06T

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更新时间：2022-03-24 10:56:35浏览次数：203次

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产品简介

TheME35N06TistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistors,usinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

The ME35N06T is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors, using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on state resistance.

ME35N06T是N通道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术，这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。

应用：

●笔记本中的电源管理

●DC/DC转换器

●负荷开关

●液晶显示逆变器

● RDS(ON)≦32mΩ@VGS=10V

● RDS(ON)≦40mΩ@VGS=4.5V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

关键词：负荷开关逆变器

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