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中国台湾松木MOS管 ME6982ED数据手册规格书ME6982ED中文资料pdf

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产品型号ME6982ED

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更新时间：2022-03-24 12:01:43浏览次数：166次

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深圳市泰德兰电子有限公司

经营模式：代理商

商铺产品：523条

所在地区：广东深圳市

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产品简介

TheME6982EDDualN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

The ME6982ED Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching,ａnd low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

应用：

●笔记本中的电源管理

●便携式设备

●电池供电系统

●负荷开关

●差示扫描量热仪

● RDS(ON)≦19mΩ@VGS=4.5V

● RDS(ON)≦24mΩ@VGS=2.5V

● RDS(ON)≦39mΩ@VGS=1.8V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

关键词：电池负荷开关差示扫描量热仪