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氧化锌(ZnO)晶体及基片简介:氧化锌单晶是很好的GaN薄膜衬底材料
氧化锌(ZnO)晶体及基片
简介:
氧化锌单晶是很好的GaN薄膜衬底材料,具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料.同时由于具有可见区透明,机电耦合系数大,能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
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