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束伦(上海)技术服务有限公司
性能指标二次电子像分辨率高加速:0.8nm@15.0kV(GB)低加速:1.2nm@1.0kV(GB)极低加速:3.0nm@0.1kV(GB)分析:3.0nm@15kV,5nA,WD10mm
性能指标
主要应用
该电镜及其附件主要用于各种材料的最细微纳米结构的观察,能够在低电压下为高磁性样品成像和分析,GB和GBSH模式可减少非导电样品上的电荷,减少对高分辨成像的镜头像差影响,得到不导电样品的高分辨图像。
样品要求
仪器说明
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