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北京金盛微纳科技有限公司
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本产品是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出，从而达到选择刻蚀的目的，它采用纯物理的刻蚀原理
本产品是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出，从而达到选择刻蚀的目的，它采用纯物理的刻蚀原理。离子束刻蚀是目前所有刻蚀方法中分辨率，陡真性方法，它可以对所有材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。
详细描述
本产品采用口径φ200mm考夫曼型离子源，通过结构的双钼栅离子光学系统及SHAG技术保证在φ150mm范围内束流的均匀性为±5%，电子中和系统可使样片上的电荷积累为零。
本设备的刻蚀工作台可绕工作中心自转，离子束入射角可在0～90°之间任意调整。
本设备具有刻蚀速率稳定、均匀性好、重复性好等特点，可广泛应用于微电子、光电子、通讯等领域的器件研发和制造。
自动控制系统采用工控计算机及PLC控制、触摸显示屏操作，实现真空系统及工艺过程自动化。本机可选择全自动及非全自动模式。
产品主要性能指标
型号 | IBE-200Z |
真空系统 | 分子泵机组 |
刻蚀室数量 | 单刻蚀室 |
刻蚀室规格 | 435×406×490mm |
工作台尺寸 | Ø200mm（片径≤6英寸） |
离子束入射角 | 0～90°之间任意调整 |
刻蚀速率 | 100Å～2000Å/min（与刻蚀材料和工艺有关） |
刻蚀不均匀性 | ≤±5% |
Ar+离子能量范围 | 100～1000eV，连续可调 |
离子束流密度 | 0～1mA/cm2，连续可调 |
有效离子束直径 | ≥ø100mm（屏栅极直径ø150mm） |
电子中和 | 带有热丝结构的电子中和装置 |
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