蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付，由广电计量提供专业的检验服务。
广电计量出具的AEC-Q101可靠性试验报告
蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V，而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了 HV-H3TRB可靠性验证，同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题，蓉矽的产品通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核，表明器件在特定应用场景中，也有优秀的稳定性和可靠性，可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率器件的高质量和车规级可靠性要求。
AEC-Q101认证是汽车行业最为核心的国际标准之一，是国际汽车行业通用的技术规范，包括各类环境应力、可靠性、耐久性、寿命测试等，拥有专门的测试要求和判断标准，广电计量出具公信力的AEC-Q检测验证报告，通过AEC-Q认证代表着器件具有优异品质和高可靠性。蓉矽半导体正在用DFR设计理念，全供应链管理体系，完整的质量管理体系向客户提供高质量、高可靠性SiC功率器件，保证交付的每一个批次、每一颗产品都符合标准要求。
蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。
产品特点如下：
1、采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加沟道密度、降低沟道电阻，提升器件在单位面积内的电流能力；
2、采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低器件开关损耗；
3、采用结终端优化技术，降低器件在结终端的曲率效应，提高器件耐压能力；采用开尔文源的PAD设置，降低封装中的杂散电感；
4、VDD=800V时，短路耐受时间>3μs，TO-247-4封装测试开启损耗为635μJ；
5、在下图中，A为外商产品，B为国内厂商产品；所对比产品规格接近，封装形式皆为TO-247-3L，驱动电压采用各厂商推荐值，测试结果采用标准化处理且蓉矽产品为“1"。从对比结果可以看出，得益于密勒电容和多晶硅电阻的优化，蓉矽第一代SiC MOSFET在开关损耗上的表现在所有竞品中处于较好水平。
关于蓉矽半导体
成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有中国台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发的车规级碳化硅器件。
蓉矽半导体设有高性价比“NovuSiC®"和高可靠性“DuraSiC®"产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。
工业和信息化部“面向集成电路、芯片产业的公共服务平台"
工业和信息化部“面向制造业的传感器等关键元器件创新成果产业化公共服务平台"
国家发展和改革委员会“导航产品板级组件质量检测公共服务平台"
广东省工业和信息化厅“汽车芯片检测公共服务平台"
江苏省发展和改革委员会“第三代半导体器件性能测试与材料分析工程研究中心"
上海市科学技术委员会“大规模集成电路分析测试平台"
在集成电路及SiC领域是技术能力全面、最高的第三方检测机构之一，已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百个型号的芯片验证，并支持完成多款型号芯片的工程化和量产。
在车规领域拥有AEC-Q及AQG324全部服务能力，获得了近50家车厂的认可，出具近400份AEC-Q及AQG324报告，助力100多款车规元器件量产。
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