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EMG LLS 875/01 LICHTBAND 光源发射器 现货

时间:2024/7/9阅读:69
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EMG LLS 875/01 LICHTBAND 光源发射器

光发射器集成,由光源(激光器或发光二极管)及其驱动电路(有时也加监控或其它电路)组成的具有光发射功能的混合集成模块或单片集成组件。

驱动电路必须提供足够的电流,因此要求搭配大电流的电器件。光发射器制作的关键问题是降低激光器的阈值电流。GaAs系量子阱(QW)激光器阈值电流为毫安量级,GaAs MESFET(金属Y肖特基势垒场效应管)可提供符合要求的驱动电流,已有GaAs系光发射器集成。但适合1.3μm,1.5μm波长光纤通信发送电路用的InP系激光器(不论是异质结构还是量子阱结构),阈值电流还较高,达十几毫安,只制成了混合集成系列光发射器模块。单片集成的电器件很不成熟,工艺难度很大。对MISFET(金属-绝缘体-半导体场效应管)、JFET(结型场效应管)或异质结双极晶体管(HBT)进行了实验。将它们和激光器集成在InP基片上的工艺兼容性还有许多问题尚待解决。

此外,研究最多的是发射波长为1.55μm的带稳频的波长可调谐的分布反馈激光器列阵,它是频分复用及相干光通信系统迫切需要的光发射器集成组件。

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伺服阀 SV2-10/64/210/6 

伺服阀 SV1-10/8/315/6 

伺服阀 SV1-10/48/315/6 

伺服阀 SV1-10/32/100/6 

伺服阀 SV1-10/8/120/6 

伺服阀 SV1-10/4/120/6 

伺服阀 SV2-16/125/315/1/1/01 

滤芯 HFE400/10H 

位移传感器 KLM300/012 

对中整流器 LLS675/02 LICHTBAND 

光发射器 LIC1075/11 

电路处理板 EVK2.12 VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/ 

电动执行器 DMC2000-B3-160-SMC002-DCS 

位移传感器 KLW300.012 

电路板 LIC2.01.1 

信号放大板 BMI2-51.1 

信号处理板 SMI2.11.3 

控制光源 LLS475/01 

推动器 TR-H9/6 SEU 

位移传感器 KLW 450.012 

探测装置 BMIH-CP/500/2290/1550/0 

高频光源发射器 LLS 1275/01 EMG

EMG线性光源发射器 LID2-800.32C 备件号:C019006

对中光源1075

线性光源发射器LLS675/01

高频光源LLS875/02

LLS 675/11 Lchtband 品牌:EMG CPC光源

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband 品牌:EMG 

EMG对中线性光源发射器:LID2-800.2C元件编号:C019005

EMG 线性光源发射器 LLS875/01

EMG光源\LLS1075/01 

线性光源发射器_EMG LLS 1075/01 24V DC/0, 7A 

EMG高频光源发射器LIC1075/11 

光源/L1C770/01-24VDC/3.0A 

EMG电动缸EMG伺服阀

EMG LLS 1075 线性光源发射器

ESSV1-10/8/315/6 纠编伺服阀

SV1-10/16/315/8 伺服阀

EMG光电式测量传感器 EVM2-CP/1850 71/L/R

EMG高频光源发射器 LLS875/01

EMG数字式控制器 ICON SE+VS/AE1054

EMG适配器 EVB03.01

EMG对中光源发射器LID2-800.2C

EMG KLW300-012

EMG CPC LS14.02

EMG KLW 360.012

EMG EPC EVM2-CP/1300.71/L/R

EMG EPC CCDPro 5000

EMG CPC LS13.01

EMG电动缸LLS 675/02

EMG 伺服阀 SV1-10/32/315-6

EMG 伺服阀 SV1-10/16/315/6    

EMG 伺服阀 SV1-10/8/315/6     

EMG 伺服阀 SV1-10/48/315/6   

EMG 伺服阀 SV1-10/8/120/6     

EMG 伺服阀 SV1-10/16/120/6  

EMG 伺服阀 SV1-10/8/315/6

EMG 伺服阀 SV1-10/16/120/6

EMG 伺服阀 SV1-10/48/315-6

EMG 伺服阀 SV1-10/16/315-6

EMG 伺服阀 SV1-10/8/100-6

EMG 传感器 KLW 300.012

EMG 传感器 KLW 150.012

EMG 传感器 KLW 225.012

EMG 传感器 KLW 360.012

EMG 传感器 KLW150.012

EMG 传感器 KLW225.012

EMG 传感器 KLW300.012

最适宜制作各种短波长和长波长激光器的GaAs和InP材料,同时又是制作微波晶体管等高速电子线路以及雪崩光电二极管(APD)等高速光电探测器的良好材料。OEIc继承了GaAs和IoP集成电路的高速性和光电器件的功能性,因而具有更强的功能和突出的Y越性。由于在Ga人s衬底上已经得到了性能优良的结型探测器、激光器(LD)和场效品体管F(ET),并且制作工艺也较成熟。1978年Ya:vi实验室S先在GaAs衬底上实现了GaAIAs激光器和一个耿氏(Gu,In)器件的集成。此后许多实验室相继做出了各种结构的OEIC,文实现了LD/F(ET)的集成,得到了光电探测器与FET的集成和中继器的单片集成。OEIC具有许多U越性。它不仅由于集成了光电的多功能性,而且降低了寄生电容和寄生电感而极大地提高了速度,降低了噪声。另外,多元件的单片集成减少了系统结构所需要的元件数目,而且有更好的密集性和高度的可靠性,同时也减小了功耗。自1969年Millc:等191提出“集成光学"的概念以来,主要沿着两个方向发展,一个方向是OEIC。另一个方向是集成光路(OIC)它是在一块固体基片上,把光学元、器件集成一体,使之成为具有某种高级功能的光回路。l[前主要是在具有强光电效应的LINbO3(泥酸锉),错体上集成。但期望的是在G。A、和nIP衬底上制做光学元、器件,从而制作具有更强功能的OEIC。

OEIC的发展将使超大容量光通信、超高速信息处理、高精度测距等一系列领域产生质的飞跃。目前,国际上已经设计制作了多种结构的OEIC发射器(包括LD或LED、驱动电路和监控电路)、中继器(包括LD、晶体管放大器、光电探测器)和接收器(包括光电探测器和低噪声前置放大器)。从目前情况来看,GaAs光电子集成发射器最有希望早日达到实用化程度。通过近几年来对OEIC的探索与研究,关于它的可能应用前景已越来越明朗了,所涉及的领域将是非常广泛的,譬如超高速计算机内各芯片及各功能片之间的连接、计算机网、长途高速率光纤通信(对于GaAs系列可以用于光纤通信系统的局部网)、光纤传感和未来的光计算机等等。


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