半导体陶磁高低温交变试验箱 返回列表页

半导体陶磁高低温交变试验箱

结构
设备主要由箱体、加热系统、制冷系统、空气循环系统以及控制系统组成。
试验箱体设计***，采用数控机床加工成型，并采用无反作用把手，试验箱操作容易。
箱门密封采用精制硅橡胶，从而在高、低温下不存在老化及硬化现象。
内胆为进口SUS304不锈钢板，外壳为A3板喷塑处理，更显光洁、美观。
保温系统采用超细玻璃纤维或硬质聚胺脂发泡填充保温区，以***箱体内部温度。

独立的加温与制冷系统使设备更***升温、降温，制冷系统为全自动控制与安全保护

半导体陶磁高低温交变试验箱

技术参数：

1.温度范围：-20℃～150℃
2.湿度范围：20%～98%R.H
3.温度均匀度：≤±2℃（空载时）
4.湿度均匀度：+2%-3%R.H
5.温度波动度：≤±0.5℃（空载时）
6.湿度波动度：±2%
7.温度偏差：≤±2℃
8.湿度偏差：≤±2%
9.降温速率：0.7～1.0℃/min
10.升温速率：1.0～3.0℃/min
11.时间设定范围：0～999小时
12.电源电压：380V±10%
13.设备总功率：3KW～15KW

结构特点:

1.高低温试验箱箱体采用数控机床加工成型，造型美观大方，并采用无反作用把手，操作简便。

2.内箱采用进口***不锈钢（SUS304）镜面板，外箱采用（SUS304）拉丝不锈钢板或优质冷轧钢板喷塑，增加了外观质感和洁净度。

3.设有大型观测视窗附照明灯保持箱内明亮，且利用发热体内嵌式钢化玻璃，随时清晰的观测箱内状况。

4.箱体左侧配直径50mm的测试孔，可供外接测试电源线或信号线使用。

5.保温材质采用高密度玻璃纤维棉，厚度为80~100mm。门与箱体之间采用双层耐高低温之高张性密封条，以确保测试区的密封。

6.设有独立限温报警系统，超过限制温度及自动中断运行，***试验安全进行不发生意外。