FU-808LD-100 808nm 100mW 红外激光器二极管 激光二极管 镭射二极体 镭射二极管 雷射管 雷射二极体
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西安长禾半导体技术有限公司
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瞬态热阻测试-功率老化
西安长禾半导体技术有限公司(简称“长禾实验室"),作为CNAS功率器件测试服务中心,严格遵循国际标准,为国内外客户提供一站式的专业测试服务。实验室全面覆盖IGBT、MOSFET、二极管、晶闸管等核心功率器件的参数验证、可靠性评估和失效分析。
瞬态热阻测试-功率老化-第三方检测中心
高温反偏试验(HTRB)
执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;
试验能力:温度 150℃;电压 5000V;
高温栅偏试验(HTGB)
执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
试验对象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;
试验能力:温度 150℃;电压 100V;
高温高湿反偏试验(H3TRB)
执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;
试验能力:温度85℃,湿度范围:25%~95%,电压 4500V;
功率老炼测试
试验对象:IGBT、TVS、压敏电阻VDR;
试验能力:检测 电压:4500V,检测 电流:200A
间歇寿命试验(IOL)
执行标准:GJB128、MIL-STD-750、 ;
试验对象:DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件;
检测能力:ΔTj≧100℃ 电压 60V,电流 50A。
功率循环试验(PC)
执行标准:GJB128、MIL-STD-750、 ;
试验对象:IGBT模块;
检测能力:ΔTj=100℃,电压 30V,电流 1800A;
热阻测试(Riath)
执行标准:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;
试验对象:各类二极管;
试验能力:瞬态热阻、稳态热阻
瞬态热阻测试-功率老化
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