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西安长禾半导体技术有限公司


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瞬态热阻测试-功率老化

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参  考  价:99
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号

    长禾CNAS

  • 品牌

    其他品牌

  • 厂商性质

    生产商

  • 所在地

    西安市

规格

1 99元 999件可售

联系方式:白晓辉查看联系方式

更新时间:2025-05-19 11:02:27浏览次数:267次

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经营模式:生产厂家

商铺产品:20条

所在地区:陕西西安市

联系人:白晓辉 (销售)

产品简介
加工定制    

瞬态热阻测试-功率老化
西安长禾半导体技术有限公司(简称“长禾实验室"),作为CNAS功率器件测试服务中心,严格遵循国际标准,为国内外客户提供一站式的专业测试服务。实验室全面覆盖IGBT、MOSFET、二极管、晶闸管等核心功率器件的参数验证、可靠性评估和失效分析。

详细介绍

瞬态热阻测试-功率老化-第三方检测中心

高温反偏试验(HTRB)  

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度  150℃;电压  5000V;

高温栅偏试验(HTGB)  

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

试验对象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度  150℃;电压  100V;

高温高湿反偏试验(H3TRB)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度85℃,湿度范围:25%~95%,电压  4500V;

功率老炼测试      

试验对象:IGBT、TVS、压敏电阻VDR;

试验能力:检测 电压:4500V,检测 电流:200A

间歇寿命试验(IOL)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、 ;

试验对象:DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件;

检测能力:ΔTj≧100℃ 电压 60V,电流 50A。

功率循环试验(PC)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、 ;

试验对象:IGBT模块;

检测能力:ΔTj=100℃,电压 30V,电流 1800A;

热阻测试(Riath)    

执行标准:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;

试验对象:各类二极管;

试验能力:瞬态热阻、稳态热阻

瞬态热阻测试-功率老化




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