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西安长禾半导体技术有限公司


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分立器件间歇寿命IoL功率老化

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参  考  价:99
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号

    长禾CNAS

  • 品牌

    其他品牌

  • 厂商性质

    生产商

  • 所在地

    西安市

规格

1 99元 999件可售

联系方式:白晓辉查看联系方式

更新时间:2025-05-07 09:58:40浏览次数:93次

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经营模式:生产厂家

商铺产品:20条

所在地区:陕西西安市

联系人:白晓辉 (销售)

产品简介
加工定制    

分立器件间歇寿命IoL功率老化
功率器件参数验证与二次筛选测试:保障器件性能稳定,助力客户优化供应链质量控制。
车规级元器件检测:针对新能源汽车,提供符合严苛车规标准的功率器件筛选与可靠性验证,助力行业客户突破核心技术瓶颈。
环境与老化实验:模拟特殊环境下器件工作状态,确保产品在复杂工况中长期可靠运行。
失效分析及可靠性评估:快速精准定位元器件失效根因,为产品改进和技术迭代提供有力支撑。

详细介绍

分立器件间歇寿命IoL功率老化-第三方检测中心

高温反偏试验(HTRB)  

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度  150℃;电压  5000V;

高温栅偏试验(HTGB)  

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

试验对象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度  150℃;电压  100V;

高温高湿反偏试验(H3TRB)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度85℃,湿度范围:25%~95%,电压  4500V;

功率老炼测试      

试验对象:IGBT、TVS、压敏电阻VDR;

试验能力:检测 电压:4500V,检测 电流:200A

间歇寿命试验(IOL)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、 ;

试验对象:DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件;

检测能力:ΔTj≧100℃ 电压 60V,电流 50A。

功率循环试验(PC)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、 ;

试验对象:IGBT模块;

检测能力:ΔTj=100℃,电压 30V,电流 1800A;

热阻测试(Riath)    

执行标准:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;

试验对象:各类二极管;

试验能力:瞬态热阻、稳态热阻



分立器件间歇寿命IoL功率老化












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