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西安长禾半导体技术有限公司
西安长禾半导体技术有限公司
| 加工定制 | 是 |
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高低温循环Tc试验-环境老化
功率器件参数验证与二次筛选测试：保障器件性能稳定，助力客户优化供应链质量控制。
车规级元器件检测：针对新能源汽车领域，提供符合严苛车规标准的功率器件筛选与可靠性验证，助力行业客户突破核心技术瓶颈。
环境与老化实验：模拟特殊环境下器件工作状态，确保产品在复杂工况中长期可靠运行。
高低温循环Tc试验-环境老化
西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室"），位于中国西部科技创新高地——西安市，专注于功率半导体器件检测与验证。
作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率器件测试服务中心，长禾实验室严格遵循国际标准，致力于为国内外客户提供一站式专业测试服务。实验室配备功率半导体测试设备和自动化测试平台，全面覆盖IGBT、MOSFET、二极管、晶闸管等核心功率器件的参数验证、可靠性评估和失效分析。凭借技术实力和创新能力，已成长为国内少数具备全链条功率器件测试、筛选及老化服务的机构之一。业务涵盖了轨道交通、新能源发电（风电、光伏）、新能源汽车、国防、工业控制、科研机构等多个领域，为中国核心产业链提供坚实的技术保障。
完善的基础设施和优秀团队一直是实验室强化的重点，实验室核心团队研究生占比70%以上，具备深厚的学术背景和丰富的行业经验。在质量控制方面，实验室建立了完善的质量管理体系，严格执行实验室管理标准。每个测试项目均建立了详细的作业指导书，确保测试过程的标准化和可追溯性，数据的准确性和可靠性。
高低温循环试验（TC）
执行标准：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；
试验能力：温度范围：-40℃~175℃。
温度冲击试验
执行标准：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；
试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；
试验能力：温度范围：-70℃~220℃。
高温蒸煮试验（PCT）
执行标准：GB/T 4937.4-2012、JESD22-A110D-2010
IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008；
试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；
试验能力：温度范围：105℃到142.9℃之间；湿度范围： 75%到100RH。
压力范围：0.02MPa到0.186MPa。
可焊性试验
执行标准：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；
试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；
振动试验
执行标准：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；
试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；
试验方法：模拟产品在运输、安装及使用环境下所遭遇到的各种振动环境影响，主要用于评定元器件、零部件及整机在预期的运输及使用环境中的抵抗能力，以了解产品的耐振寿命和性能指标的稳定性。
盐雾试验
执行标准：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；
试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；
试验方法：通过人工模拟盐雾环境条件来考核产品或金属材料耐腐蚀性能的环境试验。一般用于对材料(表面镀层)或表面处理工艺进行评价、筛选、对比，确定产品中潜在问题的区域和部位,发现质量控制的不足,寻找设计缺陷等。
高低温循环Tc试验-环境老化
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