是德科技半导体功率分析仪

B1506A 可测量以下所有器件参数。
分类 参数
阈值电压 V(th)、Vge(th)
传输特征 Id-Vgs、Ic-Vge、gfs
导通电阻 Rds-on、Vce(sat)
栅极泄漏电流 Igss、Iges
输出泄漏电流 Idss、Ices
输出特征 Id-Vds、Ic-Vce
击穿电压 BVds、BVces
栅极电荷 Qg、Qg(th)、Qgs、Qgd、Qsw、Qsync
栅极电阻 Rg
器件电容 Ciss、Coss、Coss_eff、Crss、Cgs、
Cgd、Cies、Coes、Cres
切换参数 Td (通)、Td (断)、Tr、Tf ; 计算值。
切换损耗 特定频率上的驱动损耗/切换损耗
特定占空比下的传导损耗
宽广的测量范围、灵活的 SMU 技术和标准可追溯性显著地缩短设计时间
B1506A 宽广的电流和电压测量范围
可满足*电力电子测量需求
许多电力电子电路主要用于处理强电流 (例如驱动电动机或
给发光二极管供电)，如果是在重型设备中使用，需要处理
的电流动辄达到甚至超过 1000 A。尽管在这些应用中，如
果电路断开，理论上不会有电流通过，但实际上高压偏置
使得电路中仍存在少量泄漏电流。这意味着要确保zui终产
品的能源效率，可能必须对这些应用中的功率器件进行毫
微安级以下的电流测量。电路设计人员必须要了解器件在
接通时的zui大电流以及在断开时的泄漏电流，因为这些特
征会影响产品的工作裕量和能源效率。B1506A 能够轻松满
足上述测量要求。它覆盖微微安至高达 1500 A 的电流测量
范围以及微伏至 3 kV 的电压测量范围，是一款适合强电流
和高电压电路设计人员使用的综合解决方案。
SMU 轻松实现实际电路偏置条件下的

B1506A 功率器件分析仪/曲线追踪仪是完整的功率电路设计解决方案，支持电路设计人员根据应用选择适合的功率器件，以便充分发挥功率电子产品的价值。B1506A 可以在不同工作条件下评测所有的功率器件参数，包括：IV 参数（击穿电压和导通电阻）、在高压偏置下的三端电容、栅极电荷和功率损耗。B1506A 用于电路设计的功率器件分析仪/曲线追踪仪提供所有曲线追踪仪功能以及更出色的特性。

B1506A 的性能十分出众，包括广泛的电压和电流（3 kV 和 1500 A）与温度（-50°C 至 +250°C）测量范围、快速脉冲功能以及 Sub-nA 电流测量分辨率，能够识别在实际电路工作条件下的不合格器件。其*的软件界面提供用户熟悉的器件技术资料格式，使用户无需经过正式培训即可轻松表征器件。测试夹具内的转换集成电路支持全自动测试功能，并能自动切换高电压和高电流测试以及 IV 测量和 CV 测量。

另外，用于器件测试夹具的插入式插座适配器可以减少电缆连接并避免人为误差。B1506A 同时支持完整的自动热表征：应用集成 Thermostream 控制或热敏印版。由于被测器件紧邻 B1506A 的测量资源，温度舱内不会出现因电缆延长线引起的明显寄生效应。

因此，B1506A 可以实现高温和低温条件下高达 1500 A 的无振荡超大电流精确测量。B1506A 革命性的功率电子器件电路设计功能可以帮助大限度地提升终端产品价值，并加快产品开发速度。

IV 套件（H20、H50、H70）价格与传统曲线追踪仪相当，但 B1506A 能够提供更丰富的*特性。您也可以升级任意 B1506A IV 套件（H20、H50、H70），以扩展电流范围或添加 CV/Qg 测量功能

主要特性与技术指标

B1506A 通用特性

• 高达 3 kV/1500 A 的运行范围
• -50 °C 至 +250 °C 的全自动快速热测试
• 自动创建功率器件（半导体和元器件）技术资料
• 自动记录功能可以避免数据丢失

B1506A IV 套件特性

• 快速的全自动封装和晶圆上器件 IV 测量（Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等）
• 窄 IV 脉宽（低至 10 μs），以防止器件自热，并测量器件真实性能
• 示波器视图（时域视图）提供实际电压/电流脉冲波形监测，以确保精确测量
• 可扩展配置，支持添加 CV 和 Qg 功能，以及扩展电流范围由 20A 升至 500 A 或 1500 A

B1506A 完整套件特性

• 全部 IV 套件特性
• 高达 3 kV 的封装器件晶体管输入、输出和反向转移电容（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）和栅极电阻（Rg）测量功能
• 封装器件栅极电荷（Qg）曲线测量
• 功率损耗计算（传导、驱动和切换损耗）
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