IGBT模块简介
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双型晶体管复合而成的种器件，其输入为MOSFET，输出为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十k

详细介绍

使用中的注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅通过层氧化膜与发射实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压般达到20～30V。因此因静电而导致栅击穿是IGBT失效的常见原因之。因此使用中要注意以下几点：

1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；

2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之请先不要接上模块；

3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

在应用中有时虽然保证了栅驱动电压没有超过栅大额定电压，但栅连线的寄生电感和栅与集电间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外，在栅—发射间开路时，若在集电与发射间加上电压，则随着集电电位的变化，由于集电有漏电流流过，栅电位升高，集电则有电流流过。这时，如果集电与发射间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合，当栅回路不正常或栅回路损坏时（栅处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅与发射之间串接只10KΩ左右的电阻。在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报或停止IGBT模块工作。