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苏州安而森试验设备有限公司
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分立器件高温反偏试验系统AS-HTRB-B16 用于评估分立器件工艺的稳定性，加速缺陷失效率，剔除有隐患的器件或剔除有制造缺陷的器件（剔除早期失效的器件）的一种可靠性试验。 ......
一、设备技术指标
1.1设备名称：高温反偏试验系统
1.2设备型号：AS-HTRB-B16
1.3内箱尺寸：600 X 600 X 600 mm (W×H × D)
箱体尺寸：1360×1815×1320 mm (W×H ×D)
内箱容积 :216L
1.4试验箱温度范围：RT+10～+200℃
建议测试温度范围：RT+10～+175℃
温度均匀性：±2℃,≤175℃时；
温度偏差：±1.5℃ ≤125℃时；±2℃ ≤175℃时；
带可程序设计计时控制开关装置，双重超温保护功能。
1.5制热与温度循环系统：
加热装置：长寿命镍铬合金电热丝式加热器
加热方式：无触点等周期脉冲调宽，平衡式调温 P.I.D + P.W.M + S.S.R
导风板设计：可调式导风板设计,有效提升温分布均匀性.
循环装置：采用防潮兼散热设计,不锈钢加长轴心回圈马达
循环风轮：耐高低温铝合金多翼式回圈扇轮
出风循环：风循环方向可根据模块的摆放方向设计，以保证试样处于温湿度均匀区
二、试验能力及电源
2.1试验能力:电压2000V，建议试验温度175℃。
2.2通道分区：16个老化试验通道，8个独立直流电源。每个电源对应2个试验通道，整机共可同时试验8个不同规格的器件。
2.3满载容量:80颗/每通道×16通道＝1280颗。（数量）
2.4插板骨架材料：304不锈钢板材料，高温下长时间工作不生锈。
2.5使用范围: 各种封装二极管、半桥、三极管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR进行高温反偏试验（HTRB）
2.6试验目的：评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，剔除有隐患的器件或剔除有制造缺陷的器件（剔除早期失效的器件）
2.7测试使用标准: GB/T 15291-1994 6.2;JESD22-A108C。
2.8试验线路及试验方法满足JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101相关标准要求。
三、结构特征
3.1 箱体材质：测试区内箱SUS#304不锈钢板,外箱粉体烤漆
3.2 保温材质：保温绝缘层耐燃防火 PU ＋ 隔热玻璃棉。
3.3 箱 门：全开单翼型，带有双层硅橡胶密封和门锁。
3.4 老化板：聚酰亚胺（Polymide）板材，Tg260℃。
3.5移动脚轮：强力螺栓固定位置支撑脚4个，移动调整轮4个(500Kg /轮 )移动试验箱用
四、电源方案:
电源方案:16个老化试验通道，8组独立电源，电源规格：（电源规格及数量可选配）
技术详情信息可我司！
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