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苏州安而森试验设备有限公司
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分立器件高温高湿反偏试验系统AS-H3TRB-C16 一种用于评估分立半导体器件在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程，同时可附带评价器件外观的寝蚀。 ......
一、设备技术指标
1.1设备名称：高温高湿反偏试验系统
1.2设备型号：AS-H3TRB-C16
1.3内箱尺寸：600 ×850×800 mm (W×H×D)
外箱尺寸：1265×1720×1090 mm (W×H×D)
监控柜：700×1810×1200 mm (W×H×D)
内箱容积 :408L
1.4 温度范围：-20℃～+180℃
湿度范围：10%～98%R.H
1.5 升温速率：-20℃～+180℃：≥3℃/min（全程平均）
降温速率：+180℃～-20℃：≥1℃/min（全程平均）
1.6 温度波动度：≤±0.5℃
湿度波动度：≤±3%RH
1.7 温度均匀度：≤2.0℃
湿度均匀度：≥75%RH时 均匀度≤±3%RH
≤75%RH时 均匀度≤±5%RH
1.8温度偏差: ≤±2.0℃
二、试验能力及电源
2.1试验能力:电压1500V，建议试验温度175℃。
2.2通道分区：16个老化试验通道，8个独立直流电源。每个电源对应2个试验通道，整机共可同时试验8个不同规格的器件。
2.3满载容量:40颗/每通道×16通道＝640颗。（数量）
2.4插板骨架材料：304不锈钢板材料，高温下长时间工作不生锈。
2.5使用范围: 各种封装二极管、半桥、三极管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR进行高温高湿反偏试验（H3TRB）
2.6试验目的：评估器件在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程，同时可附带评价器件外观的寝蚀。
2.7测试使用标准: GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5；GB/T 2423.3-2006；JESD22-A101C。
2.8试验线路及试验方法满足JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101 、GJB128A相关标准要求。
三、结构特征
3.1 内箱材质：SUS304#不锈钢板T=1.2mm，附加整体结构加固。
3.2 外箱材质：双面镀锌钢板T=1.5mm，表面粉体喷涂处理。
3.3 保温材质：保温绝缘层耐燃防火 PU ＋ 隔热玻璃棉(保温层厚 100 mm)。
3.4 防汗机件：以冷冻系统高温回路及薄膜式电热防止湿气的凝露或结霜。
3.5 箱 门：全开单翼型附加玻璃观测窗，带有双层硅橡胶密封和门锁。
3.6 观测窗口：四层真空玻璃隔热窗，观察试品使用,附加13w飞利浦节能照明灯
3.7 测 试 孔：可外接测试电源线及信号用 ( φ100mm一个)
3.8 置 物 架：可活动调整栅盘架与SUS304#不锈钢条状栅盘二只(盘架每间格 5.0 cm)
3.9 移动脚轮：采滑轮移动调整摆放位置与强力螺栓固定位置(200Kg / 轮 )
3.10老化板：聚酰亚胺（Polymide）板材，Tg260℃；表面喷涂三防漆。
四、电源方案:
电源方案:16个老化试验通道，8组直流电源，电源规格如下：（电源规格及数量可选配）
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