SIEMENS 6ES7193-4CC20-0AA0等目的。异质结在光电子学中的另一成就是70年代出现的半导体光阴极。以前采用的光阴极材料

SIEMENS6SE70312EP850AA0子阱激光器、双稳态光器件等）。双异质结激光器的发明是异质结研究方面的一个重大成就。采用

SIEMENSET200B-32DO用外延生长技术可以把不同半导体单晶薄膜控制生长在一起，形成异质结或异质结构。适

SIEMENS6ES7960–1AA04–0XA0生载流子在结附近某区域的强电场下加速，其能量可达到引起晶格碰撞电离的阈值。这种电离过

SIEMENS 6ES72320HB220XA8极管是广泛使用的光检测器件,为了提高量子效率和响应速度，必须尽量扩大耗尽区（即电场区），

SIEMENS 562-001（达104伏/厘米以上）,导致能带弯曲，形成PN结势垒。光生载流子一旦扩散入结区即被内场扫向两

SIEMENS 6ES75900AA000AA0泛用作光电控制和早期光通信的光源。导体激光器就是用高掺杂GaAs的PN结制成的，

SIEMENS6ES71934CF500AA0附近将注入大量非平衡载流子，利用复合发光效应可制成各种颜色发光二极管。电子仪表上普遍

SIEMENS6ES72720AA300YA0出各种波段（特别是红外波段）光电探测器，如InSb、HgCdTe光电探测器，在军事上已获得广泛应用。

SIEMENS6ES72162BD230XB0因此带间复合发光的效率很低（小于0.01%）。许多化合物材料如GaAs、InGaAsP为直接带材料（

SIEMENS ZIC4A很敏感。表面层对外来电荷（正的或负的电荷）的吸附引起表面能带的弯曲（向上或向下），剧烈地影

SIEMENS6ES7972OCB200XA02是一个具有理想表面的半导体的能带图，EC、EV分别表示导带底和价带顶,E0为体外真空能级

SIEMENS 6DR50200NG000AA0就能够跃迁到导带中，与此同时在价带中留下空穴，统称为光生载流子，由此产生的附加导电现

SIEMENS 6ES79538LL310AA0态的分布如图1,常温下低能量的带（价带）中的状态基本上为价电子所填充，高能量的带（导带）中的

SIEMENS 6ES7322-1BL00-0AA0对半导体基本物理特性（如能带结构、电子跃迁过程等）的研究，特别是对半导体光学性质的研究

SIEMENS 6ES59437UB21器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变，它也有别于早期人们袭用的光电器件。后者

SIEMENS122P002070120X光电子器件加以介绍。如果你对光电子器件具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。

SIEMENS 6DD16000BA1将功率超声频源的声能转换成机械振动，通过清洗槽壁将超声波辐射到槽子中的清洗液。由于受

SIEMENS 6ES7315-2FJ14-0AB0声发电机的电源应设有220伏/50赫兹的单电源和2000瓦以上的电压调节器。

SIEMENS6ES7307-IEA00-0AA0对于高频超声波清洗机，空化效应不显著，此时的清洗主要取决于液体颗粒在超声波冲击下的加速度对颗粒的超