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1200℃双温区CVD系统

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更新时间：2021-11-02 15:50:55浏览次数：584次

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天津中环电炉股份有限公司

经营模式：生产厂家

商铺产品：67条

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产品简介

产品用途：此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

详细介绍

产品用途：

此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

产品组成：

此款CVD系统配置：

1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）。

2.多路质量流量控制系统

3.真空系统（可选配中真空或高真空）

产品特点：

1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

2 气路快速连接法兰结构采用本公司的知识产权设计,提高操作便捷性。

3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵

防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。

系统名称	1200℃单/双温区CVD系统
系统型号	CVD-12II-3Z/G	CVD-12II6-3Z/G
温度	1200℃
加热区长度	420mm	600mm
恒温区长度	280mm	390mm
温区	双温区	双温区
石英管管径	Φ50/Φ60/Φ80mm	Φ80/Φ100mm
额定功率	3.2Kw	4.8Kw
额定电压	220V
温度控制	国产程序控温系统50段程序控温；
控制精度	±1℃
炉管工作温度	＜1200℃
气路法兰	密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效，该密封法兰的安装只需在次使用设备的时候安装
气体控制方式	质量流量计
气路数量	3路（可根据具体需要选配气路数量）
流量范围	0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定
精度	±1%F.S
响应时间	≤4sec
工作温度	5-45℃
工作压力	进气压力0.05-0.3Mpa(表压力）
系统连接方式	采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
规格	高真空
系统真空范围	1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵	真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V 功率2KW	真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V 功率2KW


炉体外形尺寸	340×580×555mm	480×770×605mm
系统外形尺寸	530x1440x750mm(不含高真空)
系统总重量	330kg