深圳市泰德兰电子有限公司
详细摘要： CQN7544一般的描述:•的沟槽功率MOSFET技术30V•4.5VGS时RDS(on)非常低•门电荷低•高电流能力•RoHS和无卤素兼容CQN7544应用程...
产品型号：重庆万国CQN7544 MOS管所在地：更新时间：2022-03-22 在线留言
详细摘要： CQN7804一般的描述:CQN7804被设计用来提供高效率同步降压功率级，优化布局空间利用率
产品型号：重庆万国CQN7804MOS管所在地：更新时间：2022-03-22 在线留言
详细摘要： CQN7934一般的描述:•的沟槽功率MOSFET技术•4.5VGS时RDS(on)非常低•门电荷低•高电流能力•RoHS和无卤素兼容CQN7934产品应用:•...
产品型号：重庆万国CQN7934规格书所在地：更新时间：2022-03-22 在线留言
详细摘要： CQNE36132一般的描述:•底源技术•RDS(ON)非常低•高电流能力•RoHS和无卤素兼容CQNE36132应用领域：•PC、服务器中的DC/DC转换器•...
产品型号：重庆万国CQNE36132规格书所在地：更新时间：2022-03-22 在线留言
详细摘要： CQNR21357一般的描述:•的*堑壕技术-30V•低RDS(上)•高电流能力•RoHS和无卤素兼容CQNR21357应用领域：•笔记本交流负载开关•电池保护...
产品型号：重庆万国CQNR21357规格书所在地：更新时间：2022-03-22 在线留言
详细摘要： CQT32374C一般的描述:•沟槽功率MOSFET技术30V•低RDS(上)•低栅极电荷•高电流能力CQT32374C应用领域：•MotorDrive•Inv...
产品型号：重庆万国CQT32374C规格书所在地：更新时间：2022-03-22 在线留言
详细摘要： CQTL66912一般的描述:•沟槽功率MOSFET-AlphaSGTTM技术100V•低RDS(ON)和广泛安全操作的组合面积(SOA)•较高的涌入电流
产品型号：重庆万国CQTL66912规格书所在地：更新时间：2022-03-22 在线留言
详细摘要： CQT5B65M1一般的描述:•的AlphaIGBT(软件)技术•650V击穿电压•非常快速和软恢复自由的二极管•高效的开关di/dt可控性•低VCE(SAT)...
产品型号：重庆万国CQT5B65M1规格书所在地：更新时间：2022-03-22 在线留言
详细摘要： CQT32376CL一般的描述:•沟槽功率MOSFET技术30V•低RDS(上)•低栅极电荷•高电流能力•RoHS和无卤素兼容CQT32376CL应用领域：•马...
产品型号：重庆万国CQT32376CL规格书所在地：更新时间：2022-03-22 在线留言您感兴趣的产品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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