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ME50P06-G

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更新时间：2022-03-25 10:25:45浏览次数：157次

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产品简介

ME50P06/ME50P06-G，P沟道mos管60V（D-S）MOSFETME50P06-G介绍：ME50P06是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管

详细介绍

ME50P06 / ME50P06-G，P沟道mos管 60V（D-S）MOSFET

ME50P06-G介绍：

ME50P06是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。这种高密度工艺经过特别设计，可地降低导通电阻。这些器件特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在线功率损耗。

ME50P06-G特征：

●RDS（ON）≦17mΩ@ VGS = -10V

●RDS（ON）≦20mΩ@VGS=-4.5V●超高密度电池设计，极低的RDS（ON）

●出色的导通电阻和直流电流能力

ME50P06-G应用领域：

●笔记本中的电源管理

●DC / DC转换器

●负荷开关

●液晶显示逆变器

关键词：电池负荷开关逆变器

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