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北京冠测精电仪器设备有限公司
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半导体硅片电阻率成像测量仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率，具有自动定位的三坐标自动测量系统，可以自由设置测量点数量，自动测试完成，可以对测试出的数据进行2D成像，是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。
产品名称：全自动晶圆成像电阻率测试仪
一、产品概述
仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。
二、仪器构成：
1、 高精度电阻率测试仪
3、 测试探头
高精度电阻率测量仪：
1.1电阻率：0.00001～20000Ω.cm (可扩展)
1.3电阻：0.00001～20000Ω.cm；
2.1量程0.01mV-2000 mV
2.3 精度：±0.1% ；
3、恒流源：
3.2电流误差：±0.5%
三坐标测试移动品台：
2、X轴Y轴*小位移量：0.125MM
四探针测试电极：
上位机软件测量成像系统
2、 测量点数：可以设定
4、 2D成像：测试完成后，可以立体成像
国际大电网会议工作组22.10“复合绝缘子”提出的报告,ElectraNo年5月。此装置由挂钩A,释放杆B,安装板C组成。挂钩A能绕安装在板C上的枢轴旋转。拉伸负荷靠销或钩环D施加到绝缘子上。当绝缘子受到负荷时，释放杆处于实线所示位置。因释放杆B较长，很小的力就能使杆B绕它的枢轴旋转。
移到虚线所示位置，并使枢轴沿X方向移动。释放杆的这种操作将引起挂钩绕它的枢轴转动，从而释放销或钩环D。此装置由旋在两端部金属夹块F和G上的断裂块E组成,此两夹块使绝缘子与拉力机相连。断块E是哑铃形状,其直径已用所用钢材和要求的破坏负荷校正好。本附录的试验程序由国际大电网会议工作组22.10“复合绝缘子”提出，并且在C.3文献〔1〕中报导。本试验除了对试品施加系统高工频电压（UJ而）外，——太阳辐射模拟；人工雨；干热；湿热（接近饱和状态）；——箱温下的高潮湿度；—轻度盐雾。此外，温度的变化也可能会产生某处程序的机械应力，特别是在绝缘子的界面层上。而且在一个循环过程中，会重复出现数次凝露现象。——每一个循环持续24h,每两个小时按程序改变一个试验条件。
——当停止加热和加湿时，绝缘子处于箱（室）温（15C〜25笆）和相对湿度（30%〜60%的相对温度>下。温度从环境温度升高到50C的时间应少于15min。98%的要求值。——当经过加热到50°C和加湿到相对湿度98%的程序后，通过试验箱（室）的自然冷却达到的饱和状态，使绝缘子上出现水滴。此时要停止排风。箱（室）温降到环境温度的时间约2h
半导体硅片电阻率成像测量仪
半导体硅片电阻率成像测量仪
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