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上海巨纳科技有限公司
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简要描述：单层氧化石墨烯（H法/进口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）制备方法：改良的H法直径：1~5um厚度：0.8~1.2nm单层比：99%纯度：99%堆积密度：0.44g/cm3体积密度：为0.26g/cm3
单层氧化石墨烯（H法/进口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制备方法：改良的H法
直径：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
单层比：99%
纯度：99%
堆积密度：0.44g/cm3
体积密度：为0.26g/cm3
单层氧化石墨烯（H法/进口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制备方法：改良的H法
直径：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
单层比：99%
纯度：99%
堆积密度：0.44g/cm3
体积密度：为0.26g/cm3
TEM of Graphene Oxide
*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound
TEM of Graphene Oxide
*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound
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