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  • 氧化石墨烯（进口）

    详细摘要： 简要描述：氧化石墨烯（进口） Graphite Oxide用H法制备，水溶性好直径：0.5~5um厚度：1~3nm

    产品型号：ACSMaterial所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 单层石墨烯（进口）

    详细摘要： 简要描述：单层石墨烯（进口） Single Layer Graphene高比表面积石墨烯制备方法：热剥离还原与氢化还原BET比表面积（平方米/克）：400~10...

    产品型号：ACSMaterial所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 石墨烯纳米薄片（2~10nm）

    详细摘要： 简要描述：石墨烯纳米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets体积特性外观：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%体积密度：0.10克/毫升...

    产品型号：ACSMaterial所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 单层石墨烯（进口/10g）

    详细摘要： 简要描述：单层石墨烯（石墨烯家族）Single Layer Graphene （Graphene Factory）BET比表面积（平方米/克）：650 ~ 75...

    产品型号：ACSMaterial所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 高比表面积氧化石墨烯

    详细摘要： 简要描述：高比表面积氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制备方法：改良的H法高表面积氧化石墨烯直径：1 ~ 5um厚度：...

    产品型号：ACSMaterial所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 工业级石墨烯（10g）

    详细摘要： 简要描述：工业级石墨烯 Industrial-Quality Graphene制备方法：热剥离还原厚度（nm）：≤3BET比表面积（平方米/克）：~ 600电阻...

    产品型号：ACSMaterial所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 氮掺杂石墨烯粉末

    详细摘要： 简要描述：氮掺杂石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面积（平方米/克）：500 ~ 700电导率（S/m）gt; ...

    产品型号：ACSMaterial所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 单层氧化石墨烯（H法/进口）

    详细摘要： 简要描述：单层氧化石墨烯（H法/进口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）制备方法：改良的H法直径：1~5um厚度：0...

    产品型号：ACSMaterial所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 氧化石墨烯（S法/进口）（S Method）

    详细摘要： 简要描述：氧化石墨烯（S法/进口） Graphene Oxide （S Method）制备方法：斯托登梅尔方法 外观为灰绿色粉末直径：1~5um厚度：0.8~1...

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  • 氧化石墨烯（S法/进口）

    详细摘要： 简要描述：氧化石墨烯（S法/进口） Graphene Oxide （S Method）制备方法：斯托登梅尔方法外观为灰绿色粉末直径：1~5um厚度：0.8~1....

    产品型号：ACSMaterial所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 氧化石墨烯（美国）

    详细摘要： 简要描述：Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...

    产品型号：2D Semiconductor所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 羧基石墨烯

    详细摘要： 简要描述：Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our faciliti...

    产品型号：2D Semiconductor所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 氟化石墨烯

    详细摘要： 简要描述：Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride rat...

    产品型号：2D Semiconductor所在地：上海更新时间：2024-02-12 在线留言

  • 氮掺杂石墨烯 Nitrogen

    详细摘要： 简要描述：Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfol...

    产品型号：2D Semiconductor所在地：上海更新时间：2024-02-11 在线留言

  • 石墨烯纳米薄片（1~5nm）

    详细摘要： 简要描述：制备方法：层间催化裂解法厚度：1~5nm直径：~5um比表面积：90-130 m2/g外观：黑色粉末制备方法：层间催化裂解法 厚度：1~5nm直径：~...

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  • 石墨烯纳米薄片（1~2nm）

    详细摘要： 简要描述：制备方法：层间催化裂解法厚度：~2nm直径：5~10um纯度：98%含氧量：1.44%电导率：~2597 s/cm

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  • Carboxyl Graphene 羧基石墨烯

    详细摘要： 简要描述：Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our faciliti...

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  • GO 氧化石墨烯 （Graphene Oxide）

    详细摘要： 简要描述：Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...

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  • Graphene Fluoride 氟化石墨烯

    详细摘要： 简要描述：Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride rat...

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  • 氮掺杂石墨烯

    详细摘要： 简要描述：Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfol...

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