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PV-2000无接触硅片自动测试系统

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所在地北京市

更新时间:2014-12-04 05:13:51浏览次数:943次

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PV-2000系列无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统为太阳能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(总厚度变化)TTV、翘曲及无接触电阻率测量功能。并提供基于TCP/IP的数据传输接口及基于Windows的控制软件,用以进行在线及离线数据管理功能。

 

产品介绍:
PV-2000系列无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统为太阳能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(总厚度变化)TTV、翘曲及无接触电阻率测量功能。并提供基于TCP/IP的数据传输接口及基于Windows的控制软件,用以进行在线及离线数据管理功能。
产品特点:
     使用MTI Instruments*的推/拉电容探针技术
     每套系统提供zui多三个测量通道
     可进行zui大、zui小、平均厚度测量和TTV测量
     可进行翘曲度测量(需要3探头)
     用激光传感器进行线锯方向和深度监视(可选)
     集成数据采集和电气控制系统
     为工厂测量提供快速以太网通讯接口,速率为每秒5
     可增加的直线厚度扫描数量
     与现有的硅片处理设备有数字I/O接口
     基于Windows的控制软件提供离线和在线的数据监控
     提供标准及客户定制的探头
     提供基于Windows的动态链接库用于与控制电脑集成
     无接触,用涡电流法测量硅片电阻率
技术参数:
    晶圆硅片测试尺寸:50mm- 300mm.
     厚度测试范围:1.7mm,可扩展到2.5mm.
     厚度测试精度:+/-0.25um
     厚度重复性精度:0.050um
     测量点直径:8mm
    TTV 测试精度:  +/-0.05um
    TTV重复性精度: 0.050um
     弯曲度测试范围: +/-500um [+/-850um]
     弯曲度测试精度: +/-2.0um
     弯曲度重复性精度: 0.750um
    电阻率测量范围:0.1-50ohm-cm
    电阻率测量精度:2%
    电阻率测量重复精度:1%
    晶圆硅片类型:单晶或多晶硅
    可用在:切片后、磨片前、后,蚀刻,抛光以及出厂、入厂质量检测等
    平面/缺口:所有的半导体标准平面或缺口
    连续5点测量
 
 
典型客户:
美国,欧洲,亚洲及国内太阳能及半导体客户。
 

PET标准太阳能电池

PET标准太阳能电池于校准太阳模拟器的辐照。也可以

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