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苏州芯矽电子科技有限公司
槽数 | 其他 | 超声清洗频率 | 定制 |
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加工定制 | 是 | 类型 | 其他 |
适用领域 | 其他 | 用途 | 其他 |
边抛后清洗机是半导体、光学及精密制造关键设备,通过湿/干法去除抛光残留。核心流程含化学去氧化、兆声波剥离、超纯水冲洗及真空干燥,在Class 10环境下完成。支持多频超声与温控,清除亚微米污染物,防边缘损伤。适用于硅片、玻璃、金属件清洁,保障封装/镀膜良率,是制程重要环节。
边抛后清洗机是半导体、光学及精密制造领域的关键设备,用于去除边缘抛光后残留的污染物(如氧化层、颗粒、蜡质等),确保工件表面洁净度达到纳米级标准。以下从技术原理、核心功能、工艺优势及应用场景展开详细介绍。
一、技术原理与核心工艺
湿法清洗(主流方案)
化学腐蚀:采用酸性或碱性溶液(如DHF、SC-1配方)溶解抛光产生的氧化层(如硅片边缘的SiO₂),暴露新鲜表面。
兆声波空化:MHz级超声波在液体中产生空化效应,剥离≤10nm的颗粒和有机物残留,避免机械接触损伤。
超纯水冲洗:18.2MΩ·cm超纯水(UPW)多级喷淋,去除化学残留,防止二次污染。
真空干燥:低温(<40℃)真空腔体蒸干水分,结合氮气保护,避免水痕或氧化。
干法/混合工艺(特殊场景)
等离子清洗:O₂/Ar等离子体分解有机污染物,适用于低k介质或敏感材料;
激光辅助:CO₂激光气化顽固残留,减少化学依赖。
二、核心功能与技术亮点
高精度污染控制
颗粒清除:兆声波频率达1-10MHz,配合流体力学设计,确保边缘与平面区域洁净度一致(颗粒计数<0.1颗/cm²)。
氧化层去除:DFH浸没工艺精准控制腐蚀速率(如硅片边缘腐蚀速率0.5-2μm/min),避免过蚀。
工艺均匀性保障
多分区喷淋头:针对边缘轮廓优化喷液角度与流量,适应不同厚度(200-300mm)及异形工件。
动态温度补偿:实时监测并调节清洗液温度(±0.2℃),防止热应力导致崩裂。
智能自动化
AI参数优化:基于机器学习预测清洗终点,减少化学品消耗;
全自动流程:机械臂+视觉定位实现上下料,兼容FOUP/FOSB传输,破损率<0.01%。
三、应用场景与行业价值
典型应用
半导体制造:硅片边缘抛光后清洗,去除划片残留污染物,提升芯片封装良率;
光学玻璃加工:BK7/石英玻璃边缘抛光液清除,保障镀膜均匀性;
金属精密件:钨/铜环件边缘去蜡及氧化层,满足高频通信器件需求。
技术痛点与解决方案
边缘崩裂风险:采用非接触式兆声波+柔性流体设计,避免机械应力;
化学残留:在线TOC监测+多级DI水漂洗,残留量<1ppb;
干燥应力:真空蒸干结合缓释氮气吹扫,平面度变化<2μm。
四、未来趋势
绿色清洗技术:推广无氟环保配方(如臭氧水替代DHF),降低危废处理成本;
原子级洁净度:结合等离子体增强湿法工艺,实现<1nm污染物控制;
集成化设备:融合清洗、检测(如椭偏仪)、干燥模块,缩短工艺周期至15分钟以内。
边抛后清洗机通过湿法化学、物理空化及智能化技术的协同,解决了边缘区域的清洁难题,是制程(如3nm以下节点、光刻胶边缘去除)中的关键设备,其技术迭代直接关系到产品良率与可靠性。
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