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西安长禾半导体技术有限公司
加工定制 | 是 |
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二极管/IGBT/晶闸管浪涌电流测试服务-第三方检测中心
功率器件参数验证与二次筛选测试:保障器件性能稳定,助力客户优化供应链质量控制。
车规级元器件检测与认证:针对新能源汽车领域,提供符合严苛车规标准的功率器件筛选与可靠性验证,助力行业客户突破核心技术瓶颈。
环境与老化实验:模拟特殊环境下器件工作状态,确保产品在复杂工况中长期可靠运行。
二极管/IGBT/晶闸管浪涌电流测试服务-第三方检测中心
西安长禾半导体技术有限公司(简称“长禾实验室"),位于中国西部科技创新高地——西安市,专注于功率半导体器件检测与验证。
作为国家认可委员会(CNAS)正式认证的大功率器件测试服务中心,长禾实验室严格遵循国际标准,致力于为国内外客户提供一站式专业测试服务。实验室配备功率半导体测试设备和自动化测试平台,全面覆盖IGBT、MOSFET、二极管、晶闸管等核心功率器件的参数验证、可靠性评估和失效分析。凭借技术实力和创新能力,已成长为国内少数具备全链条功率器件测试、筛选及老化服务的机构之一。业务涵盖了轨道交通、新能源发电(风电、光伏)、新能源汽车、国防、工业控制、科研机构等多个领域,为中国核心产业链提供坚实的技术保障。
完善的基础设施和优秀团队一直是实验室强化的重点,实验室核心团队研究生占比70%以上,具备深厚的学术背景和丰富的行业经验。在质量控制方面,实验室建立了完善的质量管理体系,严格执行实验室管理标准。每个测试项目均建立了详细的作业指导书,确保测试过程的标准化和可追溯性,数据的准确性和可靠性。长禾实验室秉持“严谨求实、精益求精"的企业精神,致力于推动中国功率半导体产业链的高质量发展,助力打造具备竞争力的半导体生态系统。未来,长禾实验室将继续发挥技术和资源优势,立足西安,努力成长为优秀功率半导体测试与验证服务平台,助力中国“芯"腾飞。
正向浪涌电流测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747,客户自定义;
试验对象:DIODE(Si/SiC)、整流桥、SCR、IGBT;
试验能力:检测 电流:10000A,10ms/8.3ms正弦半波,100us/1ms/10ms方波。
试验参数:浪涌电流IFSM/ITSM、i2t
雷击浪涌 8/20us,10/1000us
雪崩耐量测试(UIS)
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747,客户自定义;
试验对象:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件;
试验能力:检测 电压:4500V,检测 电流:200A
试验参数:雪崩能量EAS
介电性测试
执行标准:GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007;
试验对象:Si、SiC·MOSFET;
试验能力:检测 电压:4500V,检测 电流:200A
二极管/IGBT/晶闸管浪涌电流测试服务
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