系统概述：
DC / RF磁控溅射系统是最基本的真空等离子薄膜沉积技术，是通过DC、RF（13.56 MHz）或脉冲MF（10 – 200 kHz）电源对金属、半导体及其化合物进行薄膜沉积溅射和反应膜磁控溅射沉积系统。
主要功能特点：
- 直流磁控溅射
- 脉冲中频磁控溅射
- 射频磁控溅射
- DC / RF反应磁控溅射
- 脉冲反应磁控溅射
应用领域：
- 金属和介质膜
- 薄膜传感器的制造
- 光学元件
- 纳米与微电子
- 太阳能电池
主要配置：
- 半圆形型真空室尺寸Ф650mm x500mm
- 1000L/s涡轮分子泵+双级旋片泵组合
- 全量程B-A复合真空规
- 三组3英寸磁控溅射靶
- 公自转阳级基片挂架，更利于大基板沉积的均匀性保证。
- 1DC+1RF+1MF（10 – 200 kHz）溅射电源更高建设效率
- 全自动压控闸阀
- 石英晶体监测系统用于实时厚度测量（1 nm精度）
- 3路精密气体质量流量计（MFC）
- 基板600°C短波红外可调加热器
- 手动前门配备4"观察窗
- 自动PLC控制系统提供手动调试模式
- windows应用系统控制软体，操作简单易用
系统结构图如下：
- 可选1、2、3、靶位向上溅射方式，更利于靶位安装和基片无污染沉积。
- 基板支架采用悬架可翻转结构，一次可装载（沉积）3种以上不同规格的基材。
- 3英寸磁控溅射靶利于溅射多层金属和介质材料膜层，更适合用于小型精密光学器件和超硬膜层。
- 靶位可根据工艺在0-25°c角度可调和30-150mm阴极距离调整范围，更便于从金属-半导体-化合物反应溅射沉积多工艺需求。
| 技术指标 | 可选配置和增加配件 |
| 三组磁控溅射靶全自动沉积 | 低温泵高真空系统 |
| 自动记录并生成沉积薄膜参数图，数据传输和打印 | 离子束辅助系统增加膜层致密性 |
| 自动基板公转控制 | 石英晶体膜厚控制 |
| 系统压力自动控制溅射压力 | 备用腔室内胆 |
| 3路MFC布气系统 | 电阻热主蒸发系统 |
| 极限真空7.0E-7torr(1000L/s) | 离子束等离子基板清洗 |
| 1*RF和1*DC+1MF（10 – 200 kHz）电源可三靶共溅 | 样品基板公自转旋转 |
| 电源规格：380V – 50/60 HZ-50A | 多路反应气体MFC |
| 尺寸：高175cm×宽100cm×深100cm | 腔体外壁冷却 |
| 质量：〜276KG | 腔体密封套件 |
更多PVD系统工艺说明可查阅本站点解决方案目录：/jjfa
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