温度敏感突变株(简称温敏突变株，Ts突变株)是一种条件致死突变株，它们在许可溫度下能正常生长，在非许可温度下不能生长。温敏突变株主要由必需基因突变引起，也可由非必需基因突变产生。由后者形成的Ts突变株在非许可温度下生长时，需要补充其他条件。

    TS突变株与某些基因产物的结构改变有关，即酶的氨基酸序列发生了一定的变化，但酶的活性中心未变。温敏突变株在许可温度下培养时，酶的活力、菌体生长和代谢都正常，当菌体生长到一定阶段。转到非许可温度时，可使突变体由正常状态转入具有某些特性的非主长状态，导致细胞某些结构改变，从而使发酵目的产物得以不断合成和往外分泌。

(1)温敏突变株的筛选方法温敏突变株zui常见的基因突变是错义突变，即结构基因上碱基发生转换或颠换，引起氨基酸序列改变。除了错义突变外，二次移码突变、结构基因末端缺失、结构基因无义突变等也可产生温敏突变株。由于这些基因突变后造成酶结构异常，在高温时失活，引起细胞结构改变。

    由于温敏突变株主要由错义突变所致，因此，选择诱变剂时要选择易于引起基因置换的重硝基类、磺酸酯类或亚硝酸、紫外线等诱变剂。

    在诱变后的存活菌体中温敏突变株的数量很少．大部分为野生型菌株，因此，要采取一些措施，淘汰野生型菌株．富集温敏突变株，以提高温敏突变株的筛选效率。常采用以下几种富集方法。

①抗生素法将诱变后的菌体在非许可温度下培养一定时间后．加入抗生素，可杀死野生型菌株，但不能杀死未曾生长的温敏突变株。离心除去抗生素后．进行分离筛选。

②过滤或离心法某些温敏突变株是DNA复制缺损或孢子萌发缺损的突变株．它们在非许可温度下培养到一定时期，细胞伸长成丝状，或芽枝不脱落母细胞，致使密度增加．可用薄膜过滤或密度梯度离心等方法富集。

③H3一前体法要富集某些大分子合成缺损的温敏突变株，可以加入相应的H3一前体物质。如筛选RNA合成缺损的温敏突变株，可把诱变后的菌体在非许可温度下培养，并加入H3一*，此时RNA缺损TS突变株不能合成RNA，也不吸收H3一*，而野生型可吸收H3一*，并将其渗入RNA。含H3一RNA的细胞在长时间低温保存过程中由于射线损伤而死亡，但RNA合成缺损的TS突变株则能保存下来。

    同样，蛋白质合成缺损或磷脂合成缺损TS突变株可在非许可温度下培养时加入H3一氨基酸或H3一甘油磷酸，从而达到富集。

    经过诱变和富集后的微生物群体中温敏突变株的数量虽然已较多，但仍然是多种微生物的混合体，因此，要把温敏突变株从群体中筛选出来。具体筛选方法如下：将经过富集后的菌体分离于CM上，置于30℃下培养，当菌落长出后，用影印法将菌落分别复印到一个CM和两个MM平板上，分成两组(图4．38)。其中一个MM平板为一组，置于许可温度(如30℃)下培养；另一组MM和CM平板各一个，置于非许可温度(40℃)下培养；根据菌落生长情况，可以筛选到两类温敏突变株。细胞