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产品型号:2D Semiconductor所在地:上海更新时间:2024-02-13 在线留言详细摘要: 简要描述:氧化石墨烯(进口) Graphite Oxide用H法制备,水溶性好直径:0.5~5um厚度:1~3nm
产品型号:ACSMaterial所在地:上海更新时间:2024-02-12 在线留言详细摘要: 简要描述:单层石墨烯(进口) Single Layer Graphene高比表面积石墨烯制备方法:热剥离还原与氢化还原BET比表面积(平方米/克):400~10...
产品型号:ACSMaterial所在地:上海更新时间:2024-02-12 在线留言详细摘要: 简要描述:石墨烯纳米薄片(2~10nm) Graphene Nanoplatelets体积特性外观:黑色和灰色粉末碳含量:>99.5%体积密度:0.10克/毫升...
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产品型号:ACSMaterial所在地:上海更新时间:2024-02-12 在线留言详细摘要: 简要描述:高比表面积氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制备方法:改良的H法高表面积氧化石墨烯直径:1 ~ 5um厚度:...
产品型号:ACSMaterial所在地:上海更新时间:2024-02-12 在线留言详细摘要: 简要描述:工业级石墨烯 Industrial-Quality Graphene制备方法:热剥离还原厚度(nm):≤3BET比表面积(平方米/克):~ 600电阻...
产品型号:ACSMaterial所在地:上海更新时间:2024-02-12 在线留言详细摘要: 简要描述:氮掺杂石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面积(平方米/克):500 ~ 700电导率(S/m)gt; ...
产品型号:ACSMaterial所在地:上海更新时间:2024-02-12 在线留言详细摘要: 简要描述:单层氧化石墨烯(H法/进口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)制备方法:改良的H法直径:1~5um厚度:0...
产品型号:ACSMaterial所在地:上海更新时间:2024-02-12 在线留言详细摘要: 简要描述:氧化石墨烯(S法/进口) Graphene Oxide (S Method)制备方法:斯托登梅尔方法 外观为灰绿色粉末直径:1~5um厚度:0.8~1...
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产品型号:2D Semiconductor所在地:上海更新时间:2024-02-12 在线留言详细摘要: 简要描述:Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our faciliti...
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