了解半导体分立器件测试仪的原理

【资料简介】

半导体分立器件测试仪 
一、产品特点： 
测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力。测试仪由计算机操控，测试数据可存储打印。除具有点测试功能外，还具有曲线扫描功能（图示仪功能）。系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。 
二、测试参数 
1． 二管       
VF、IR、BVR 
2．  稳压（齐纳）二管    
VF、IR、BV Z 
3．  晶体管       Transistor（NPN型/PNP型） 
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON 
4．   可控硅整流器（晶闸管）    
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM  
5．  场效应管    
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS 


6．  光电耦合器        
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT 
*7．三端稳压器 
VO、SV、ID、IDV

三、测试参数范围

晶体管

 

测试参数	测试范围
ICEO ICBO IEBO	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VCE(sat) VBE(sat)	0.10V-30V
VBE(VBE(on))	0.10V-30V
hFE	1－99999
V(BR)EBO	0.10V-30V
V(BR)CEO V(BR)CBO	0.       10V-50V 50V-1499V

 

二管

 

 

测试参数	测试范围
IR	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VF	0.10V-30V
V(BR)	1V-50V
	50V-1499V

 

稳压二管

 

 

测试参数	测试范围
IR	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VF	0.10V-30V
VZ	0.10V-50V

 

三端稳压器

 

 

测试参数	测试范围
VO	0.10V-30V
SV	0.10mV-1V
ID	1uA-10mA
IDV	1uA-10mA

 

MOSFET

 

 

测试参数	测试范围
VGS(th)	0.10V-30V
gfs	0.1mS-1000S
RDS(on)	10mΩ-100KΩ
VDS(on)	0.10V-50V
IGSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
IDSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
ID(on)	0-50A
V(BR)GSS	0.1V-30V
V(BR)DSS	0.1V-1499V