详细摘要： 三靶射频磁控溅射镀膜仪配有磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。

详细摘要： 等离子磁控溅射镀膜仪系列仪器中安装有直径为50mm的不锈钢可旋转样品台，其与溅射头之间距离可调

详细摘要： 1200℃小型井式炉（9L）系列 加热元件：掺钼铁铬铝（表面涂有氧化锆涂层，可以*程度延长使用寿命）；

详细摘要： 1650℃布里奇曼单晶生长炉系列此设备适合于生长各种金属，氧化物等晶体，也和作为多晶棒定向凝固使用。

详细摘要： 高温高压镍基合金水热反应釜 65/100ml系列铝制散热器安装于壳体上，托住炉管，并带有风冷系统,可有效降低法兰温度

详细摘要： 混合式小型晶体生长炉系列是一款小型晶体生长炉，适用于提拉法或布里奇曼法生长单晶，其zui高温度可达1100℃。

详细摘要： 三温区顶部籽晶助溶剂法单晶生长炉系列温控系统可设置28段温度程序段，控温精度±1℃和精密旋转提拉机构，其提拉速度为0.8-50mm/hour.

详细摘要： 1600℃ TSSG法晶体生长炉系列采用氧化铝纤维作为炉膛材料，以MoSi2为加热元件，其腔体尺寸为φ330mm×250mm（H），zui高温度可达1...

详细摘要： 4电弧提拉法单晶生长炉系列真空度可达10-5Torr.此款单晶炉特别适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。

详细摘要： 1700℃小型单晶生长炉系列是一款小型提拉法单晶生长炉，其zui高温度可达1700℃。可用于生长GGG,YAG，LaALO3等各种单晶，用于材料的基础研究。

详细摘要： SKJ-VE2000火焰法单晶生长炉系列是一款小型火焰法单晶生长炉，其温度可以高达2000℃。

详细摘要： SKJ-LCZ悬浮提拉晶体生长炉系列悬浮熔炼避免了坩埚的污染，可得到高纯度的金属（合金）单晶。

详细摘要： SKJ-CZ-250小型提拉机构此设备专门用于DIY各种单晶生长设备，如提拉法单晶炉（CZ）、顶部籽晶助溶剂法（TSSG）等等。

详细摘要： SKJ-50CZ晶体生长炉系列是一款高质量的CZ晶体生长炉，可针对于材料的实验探索，也可以适用于晶体材料的生产。

详细摘要： OTF-1200X-50-DSL定向CVD生长炉系列是一款水平滑轨炉，其炉管直径为Φ50mm,炉体滑动速度可以根据实验需要而设置

详细摘要： VBF-1200X-TSSG晶体生长炉系列一款顶部籽晶法晶体生长炉，可利用助溶剂法生长各种材料单晶。

详细摘要： 1200℃双温区管式炉系列两个温区分别由两个独立的温控系统来控制，而且都为PID30段程序化控温。

详细摘要： 2000℃控温感应加热炉系列是一款较大型高温感应加热/熔炼炉系统，配用30KW感应加热器，8.5英寸（216mm）石英管

详细摘要： 300ml镍基合金高温高压反应釜系列是一款300ml的高温高压反应釜，采用镍基高温合金钢制作，其具*的蠕变强度和抗氧化性。

详细摘要： 1200℃坩埚可移动型管式炉系列是一款坩埚可在炉管内移动（靠步进电机控制）的小型开启式管式炉。炉管外径为50mm,设备zui高工作温度为1200℃。