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北京中科复华科技有限公司
产地 | 国产 |
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IBE刻蚀机采用离子束刻蚀技术,其原理基于离子和固体表面的相互作用。具体而言,离子束通过控制系统加速并聚焦,然后瞄准待刻蚀的样品表面。离子束在与样品表面相撞时,会发生多种相互作用,包括散射、表面反射、电子激发和离子抑制等。其中,离子抑制是IBE刻蚀机的核心原理
应用方向:科研与教学
产品优势:负角度刻蚀降低反污染,热态、冷态两种中和系统,刻蚀腔体前后开门
产品配置:
★离子源种类:考夫曼离子源
★离子源口径:Φ160mm/220mm
★中和方式:灯丝、冷态等离子体桥
★样片数量及尺寸:1片Φ100mm/150mm样品
★刻蚀材料:包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。
★刻蚀腔体:高真空系统
★刻蚀不均匀性:±3%-±6%
★刻蚀速率:10-500nm/min(视具体材料与工艺)
★工作台:可旋转,可自传,可调距离,包含水冷
★工艺气路:1-2路
★束流检测:法拉第筒在线检测
★终点检测控制:可选配质谱仪
★操作模式:全自动+半自动控制
选型参考:DISC-IBE-150C(离子源口径160mm);DISC-IBE-200C(离子源口径220mm)
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