HMDS烘箱在第三代半导体材料中的工艺

HMDS烘箱在第三代半导体材料中的工艺

  第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度Eg>2.3eV）的半导体材料。其中又以SiC和GaN为最核心的材料。然而这些新材料衬底在光刻模块中的标准步骤是：脱水烘烤、HMDS prime、抗蚀剂旋转/喷涂、软烘烤、对准、曝光、曝光后烘烤、显影硬烘烤和除渣。

  HMDS prime - 在晶圆表面涂上附着力促进剂。附着力促进剂用于与晶圆表面发生化学反应，并用有机官能团取代 -OH 基团，与羟基不同，该官能团对光刻胶具有良好的附着力。硅烷通常用于此目的，最常见的是六甲基二硅烷 (HMDS)。

  施加粘合促进剂的优选方法是将基材置于 HMDS 蒸汽中，通常是在升高的温度和降低的压力下。这允许在没有过多 HMDS 沉积的情况下对基材进行良好的涂覆，并且更高的温度会导致与硅烷醇基团的反应好。

  文中所要求的HMDS蒸汽及升高温度和降低压力的制作工艺，可在HMDS烘箱中完成，无需独立操作，一键作业。

HMDS烘箱技术规格：

内腔尺寸：300×300×300、450×450×450（mm）（可定制）

材质：内箱采用 316L 医用级不锈钢

温度范围：RT+30-200℃

真空度：≤1torr

电源及总功率：AC 220V±10% / 50HZ，总功率约2.8KW

控制仪表：人机界面，一键运行

搁板层数：2 层

HMDS控制：可控制HMDS添加量

真空泵：无油涡旋真空泵

HMDS药液泄漏报警提示功能

HMDS低液位报警提示功能

工艺数据记录功能

药液管道预热功能

程序锁定保护等功能