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Lam9600旨在蚀刻具有高度垂直侧壁的铝金属和TiW层,适用于0.35um线宽
Lam 9600 旨在蚀刻具有高度垂直侧壁的铝金属和 TiW 层,适用于 0.35 um 线宽。等离子体是一种中高密度、变压器耦合等离子体,类似于 ICP 源,允许单独控制线圈(顶部电极)功率和压板(下部电极)功率。在腔室中,晶圆被机械夹持到水冷压板上,He 背面气体提供耦合。Cl2/BCl3 化学成分用于 Al 和 SF6 用于 TiW 层。TiW 蚀刻和 Cl 钝化步骤(也使用 SF6)可以在出口锁或主腔室中进行。预计 Cl 化学对 Al2O3 层以及具有最小底切的硅沟槽有效。
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