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北京中科复华科技有限公司
产地 | 国产 |
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感应耦合等离子体刻蚀系统利用射频天线,通过感应耦合方式在放电腔中产生高密度等离子体,同时刻蚀工作台引入射频偏压,射频偏压作用下,等离子体中垂直向下对被刻蚀材料表面进行物理轰击,并与材料表面发生化学反应,达到对样品进行刻蚀的目的。
本系统具有ICP和RIE两种刻蚀功能,既可以进行细线条(纳米)加工,也可以进行高深宽比的体加工。可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、
应用方向:科研与教学
产品优势:耐氯基强腐蚀气体,带双片送取样室(Load-Lock)
产品配置:
★样片数量及尺寸:1片Ф6英寸
★刻蚀材料:包括并不限于GaN、GaAs、InP、Al、Cr、单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、Mo、聚合物等。
★刻蚀腔体:高真空系统
★Load-Lock:低真空系统 或 高真空系统。双片装,样品自动运送。
★刻蚀不均匀性:±3%-±6%
★刻蚀速率:0.1-4μm/min(视具体材料与工艺)
★工作台:可升降,包含水冷
★电源配置:上电射频,下电偏压,包含自动匹配
★气路数量与种类:6路气路,其中2路耐腐蚀VCR焊接 或 用户选配
★深硅刻蚀系统:可选配
★He冷背吹系统:可选配
★终点检测控制:可选配质谱仪
★操作模式:全自动+半自动控制
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