当前位置:上海隽思实验仪器有限公司>>HMDS烘箱>>HMDS预处理烘箱>> JSHMDS专用烘箱,HMDS真空涂胶系统 工业烘箱
材质 | 不锈钢 | 工作室尺寸 | 45mm |
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功率 | 2500 | 加工定制 | 是 |
类型 | 真空 | 适用范围 | MEMS,氮化镓,砷化镓,半导体 |
温度范围 | 200℃ | 重量 | 190kg |
HMDS专用烘箱,HMDS真空涂胶系统性能:
涂布方式:气相沉积
使用温度:RT+50-200℃
真空度:≤1torr
设备材质:内箱采用316L医用不锈钢
运行方式:一键运行,自动完成工艺处理,并有结束提示音
尺寸大小:450*450*450mm
兼容性:2-12寸晶圆及方片等
储液瓶:HMDS储液量1000ml
真空泵:进口干式真空泵
数据处理:多个工艺配方存储,使用数据记录
保护装置:低液位报警,HMDS药液泄漏报警,超温保护并断开加热,漏电保护等
HMDS专用烘箱,HMDS真空涂胶系统适用行业
MEMS、滤波、放大、功率等器件,晶圆、玻璃、贵金属,SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、ZnO(氧化锌)、GaO(氧化镓)、金刚石等第三代半导体材料。
SiC碳化硅(HMDS预处理系统)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。
碳化硅原材料核心优势体现在:
(1)耐高压:更低的阻抗、更宽的禁带宽度,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;
(2)耐高频:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;
(3)耐高温:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。
相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。
碳化硅晶片应用于肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等,主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设,主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。
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