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北京中科复华科技有限公司
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电子束光刻(EBL)在现代电子工业中，尤其是集成电路领域精细图案的制作中占据核心地位。这项技术起源于早期的扫描电子显微镜，其基本过程是将一束电子扫描过覆盖有对电子敏感的光阻薄膜的表面，从而以所需图案的形式在光阻薄膜中沉积能量。电子束曝光技术的主要特点包括：1)它能够实现分辨率(优于20纳米)；2)它是一种灵活的技术，可以应用于多种材料；3)它的速度较慢，比光学光刻慢一个或多个数量级；4)它昂贵且复杂(由于邻近效应的影响)。EBL技术在高精度和灵活性方面展现出的优势，尽管其速度和成本问题限制了其大
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等离子体蚀刻技术在半导体制造工业中扮演着至关重要的角色，本对其进行介绍，分述如下：等离子体脉冲蚀刻技术原子层蚀刻技术带状束方向性蚀刻技术气体团簇离子束蚀刻技术1等离子体脉冲蚀刻技术等离子体脉冲蚀刻技术通过周期性地开启和关闭功率，形成一系列的脉冲循环。一个完整的等离子体脉冲蚀刻循环通常包括以下四个阶段：(1)功率激发初始阶段在功率启动的初始阶段，电子温度迅速上升，同时电子和离子密度开始增加。在晶圆附近，会逐渐形成一个鞘层，但整体状态尚未达到稳定。此阶段，功率处于最大值，但电子密度仍然较低。高功率激
